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Floadia 开发可保留数据 10 年的每单元 7 位闪存

凤融欣
导读 该公司 表示,Floadia宣布已开发出一种独特的闪存,可以在 150°C 下每单元存储七位数据 (7bpc) 十年。这比当今用于存储设备(如 S

该公司 表示,Floadia宣布已开发出一种独特的闪存,可以在 150°C 下每单元存储七位数据 (7bpc) 十年。这比当今用于存储设备(如 SSD)的领先闪存要密集得多,后者每个单元只能存储四位 (QLC)。

为微控制器和其他高度集成的设备开发非易失性存储器有其好处。一方面,可靠性和数据保留时间是绝对必须的。另一方面,存储容量、密度、性能和价格也很重要。将所有这些功能结合在一起很棘手,有时公司必须发明相当有趣的技术。

Floadia 的新技术主要基于该公司专为微控制器设计的 Sonos 闪存。为了增强内存并使其在高温下存储 7bpc 十年,Floadia 不得不通过引入专有的小野薄膜并重新设计单元结构和控制网络来重新设计电荷俘获层的结构。该公司表示,如果没有这些增强功能,它每个单元只能保留 7 位数据约 100 秒。

典型的 3D QLC NAND 闪存每单元存储 4 位,并在常温下支持大约 1,000 次编程/擦除周期。Floadia 的新存储器每个单元可以存储更多电荷,并且比普通闪存具有更长的保留时间,这意味着它可以在没有电源的情况下存储更长的时间。

但有一个问题。Floadia 的 Sonos 针对不需要存储大量数据并且使用厚(55nm ~ 350nm)和过时工艺技术制造的微控制器。为此,Sonos 内存的存储密度远低于现代 3D NAND 内存。该公司也没有分享业绩预期。

Floadia 的新型内存专为内存计算 (CIM) 等应用而设计。特别是,Floadia 打算将新技术应用于人工智能 (AI) 加速器,该加速器以 300 TOPS/W 执行推理操作。这比 CPU 或 GPU 等竞争解决方案的效率要高得多。AI 芯片将神经网络权重存储在非易失性存储器中,并通过使电流通过存储器阵列并行执行许多乘法累加运算。CIM AI 加速器可用于边缘应用。