大家好,小钱来为大家解答以上的问题。形成栅极图形的方法以及半导体装置，关于形成栅极图形的方法以及半导体装置介绍这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、 《形成栅极图形的方法以及半导体装置》是中芯国际集成电路制造（上海）有限公司于2011年3月17日申请的发明专利，该专利的公布号为CN102683191A，专利公布日为2012年9月19日，发明人是何其旸、张翼英。 

2、 《形成栅极图形的方法以及半导体装置》包含多个沿第一方向相互平行的、被间隙断开的栅极条，间隙位于沿基本垂直于第一方向的第二方向相互平行的多个条带区中，各条带区中存在跨过栅极条而相邻的间隙。 

3、 2017年12月11日，《形成栅极图形的方法以及半导体装置》获得第十九届中国专利优秀奖。 

4、 （概述图为《形成栅极图形的方法以及半导体装置》摘要附图 ）

关于形成栅极图形的方法以及半导体装置到此分享完毕，希望能帮助到您。