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1、 微结构因子 R 微晶硅薄膜中 SiHx键位于2000—2100cm-1的伸展模依赖于氢原子的键合环境，如果氢原子位于致密的网格中，SiHx键的伸展模将产生位于~2000cm-1的吸收峰。

2、如果氢原子位于空洞的内表面或者晶界，SiHx键的伸展模将导致位于~2100cm-1的吸收峰。

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